在復雜的芯片生產(chǎn)工藝中，硫酸也是必不可少的試劑。

 

       硅圓片在加工過程中，常常會被不同的雜質所沾污，硅圓片上不溶性固體顆�；蚪饘匐x子可能在微細電路之間導電，使之短路。鈉、鈣等堿金屬雜質也會融進氧化膜中，導致耐絕緣電壓下降。硼、磷、砷等雜質離子會影響擴散劑的擴散效果，塵埃顆粒會造成光刻缺陷，氧化層不平整，影響制版質量和等離子蝕刻工藝。

 

       為了獲得高質量集成電路芯片，必須除去各種沾污物，這就需要使用非常純凈的化學試劑來清洗硅圓片。硫酸和過氧化氫可以按比例組成有強氧化性的SPM清洗液，將有機物氧化成CO2和H2O。它還可用于光刻過程中的濕法蝕刻去膠，借助于化學反應從硅圓片的表面除去固體物質，導致固體表面全部或局部溶解。

 

       硫酸在此處的作用是消除晶圓上的各種雜質，那么其本身就絕對不能做為污染源再引入雜質，因此該工藝對于硫酸本身純凈度的要求也相當高。1975年，美國的國際半導體設備與材料協(xié)會（Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI）首先為微電子工業(yè)配套的電子級化學品制定了統(tǒng)一標準（SEMI標準）；1978年，德國的默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對電子級化學品中金屬雜質和微粒（塵埃）的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。到目前為止，中國還沒有電子級硫酸國家標準，現(xiàn)行的硫酸標準有GB/T 534-2014《工業(yè)硫酸》、HG/T 4559-2013《超凈高純硫酸》和HG/T 2692-2015《蓄電池用硫酸》均不適合電子級硫酸產(chǎn)品，中國的試劑企業(yè)一般將電子級硫酸劃分為低塵高純級、MOS級和BV-III級，其中BV-III級電子級硫酸的單項金屬雜質質量分數(shù)不超過1×10-8，相當于SEMI-C7標準。

 

       瑞士萬通智能離子色譜系統(tǒng)和伏安極譜儀可以針對電子級硫酸中多種雜質進行檢測。瑞士制造，瑞士品質，滿足您的各種檢測需求。

 

       離子色譜法

       測定電子級硫酸中F-含量

       有機酸排斥柱可以分離F-，還可以不受極端PH的影響，而其它常規(guī)陰離子在排斥柱上無保留。

 

       離子色譜法

       測定電子級硫酸中陽離子含量

       本實驗用雙閥切換結合氫氧根離子固相萃取柱（IC-OH）技術中和濃硫酸待測液中的氫離子。

 

       分離柱：METROSEP C4-150

       淋洗液：1.7mM HNO3+0.7mM 吡啶二羧酸的超純水溶液

       六通閥A：定量環(huán)1.5μL，六通閥B：定量環(huán)100μL

       流速：0.9mL/min。多思加液器(Dosino)加液速度1.0mL/min，把1.5μL 

 

       樣品從閥A通過IC-OH柱轉移到閥B的體積為0.3mL。

 

       伏安極譜法

       測定電子級硫酸中重金屬含量

       已知體積及質量的樣品置于用硝酸浸泡過夜的燒杯中，然后用優(yōu)級純的氨水調節(jié)pH至7，所得樣品最后用超純水定容至100mL。