電子工業(yè)的數(shù)字化和微型化是近年來的重要發(fā)展趨勢，也是微電子元器件創(chuàng)新的主要動力之一。因此，在微納米尺度對元器件和材料的電學性能進行測量,也成為了元器件研究、工藝、以及失效分析的重要手段。例如: 介電層在納米范圍內(nèi)的厚度偏差會產(chǎn)生介質(zhì)擊穿的薄弱點，從而降低整個薄膜的可靠性；器件內(nèi)單個微結構異常的“電流-電壓”響應關系往往是器件失效的原因等等。

       安東帕Tosca系列原子力顯微鏡（AFM）以其優(yōu)異的探測性能和簡捷高時效的操作流程，受到廣大用戶的青睞，成為顯微結構和物性分析的強大工具。Tosca在納米級的三維成像及尺寸測量、粗糙度分析、微區(qū)組分分布信息探測、微區(qū)力學性質(zhì)測試、納米尺度電學特性測試、以及高分辨磁學分布特性分析等領域，都有著出色的表現(xiàn)。